Introducció
El HD100Rbomba magnètica semiconductoraés un equip de transferència professional fet a mida-per a la indústria dels semiconductors. Amb una estructura d'accionament magnètic sense segell, ofereix zero fuites i zero contaminació externa durant tota l'operació, complint totalment els requisits de neteja d'alt-nivell dels tallers de semiconductors.
Les parts mullades d'aquesta bomba magnètica de PTFE per a semiconductors estan fetes de PTFE d'alta -puresa, que resisteix diversos productes químics semiconductors altament corrosius sense precipitació d'ions ni permeació mitjana. Transfereix de manera segura productes químics especials, com ara solucions de gravat, solucions de neteja i reactius d'alta -puresa. El cos de la bomba--lliure d'espai mort-format íntegrament amb una superfície-de brillantor permet una neteja a fons i prevé eficaçment els residus mitjans i la contaminació-creuada. Com a bomba magnètica fiable per a productes químics semiconductors, funciona de manera constant amb vibracions baixes i admet un funcionament continu de 24-hores. Àmpliament utilitzat en la fabricació d'hòsties, envasat de xips i processos humits de semiconductors, serveix com a dispositiu bàsic per transportar productes químics corrosius d'alta puresa al sector dels semiconductors.
Esquema estructural del producte
Paràmetre tècnic
Model | Interfície de tub | Interfície espiralR-M RX-MRZ-M | Capacitat màxima (L/min) | Capçal màxim (m) | Pes específic | Motor | Pes (kg) | |||
Entrada (mm) | Sortida (mm) | Entrada / Sortida | Dimensions de l'acoblament (mm) | 50Hz/60Hz | 50Hz/60Hz | Sortida (w) 50Hz/60Hz | Fase | |||
HD100R | 26 | 26 | G1 | 20 | 120/135 | 8.6/11.9 | 1.2 | 260/265 | 1 o 3 | 8.1 |
Corba de rendiment
Avantatges clau
1. PTFE d'alta puresa-format integralment amb una excel·lent resistència a la corrosió
Les parts mullades d'aquesta bomba magnètica de PTFE per a semiconductors estan integralment modelades per compressió-amb PTFE espessit d'alta-puresa. En comparació amb les bombes de PTFE empalmats convencionals, presenta una resistència molt millorada a la penetració de productes químics altament corrosius i una resistència a la pressió més alta. És totalment aplicable al lliurament a llarg termini-de solucions de gravat i decapants d'alta-concentració per a semiconductors, i prevé la delaminació del material, la protuberància i la precipitació d'ions.
2. Estructura de-alt flux per a un lliurament estable
El mòdul hidràulic d'alt flux-personalitzat està dissenyat per a línies de semiconductors-de producció massiva. Ofereix un rang de cabal més ampli i una sortida de pressió estable per subministrar líquid per a diverses línies de procés humit simultàniament, resolent els problemes de la capçalera insuficient i la fluctuació dràstica del cabal de les bombes magnètiques normals en condicions de cabal-alt.
3. Sistema d'accionament magnètic totalment segellat de càrrega alta-
Aquesta bomba magnètica per a productes químics semiconductors està equipada amb components d'acoblament magnètic reforçats millorats per a una major capacitat de parell. Combinat amb una carcassa a prova de pols i anticorrosió totalment segellada, manté un funcionament continu a llarg termini{2}}a plena-càrrega i aïlla les partícules en l'aire i el gas corrosiu als tallers lliures de-pols per protegir les peces de transmissió central.
4. Gran-capacitat-espai mort-disseny de cavitat lliure
La cavitat ampliada de l'HD100R adopta una transició suau optimitzada sense cantons morts de retenció de líquids. La seva paret interior-alta brillant permet una neteja en línia més ràpida i completa-. Ideal per al lliurament alternatiu de diversos productes químics semiconductors, evita completament els riscos de-contaminació creuada.
5. Estructura -resistent a alta pressió per a condicions complexes de canonades
La carcassa de la bomba i les peces de connexió estan reforçades per a alta pressió, amb una millor capacitat de suport de pressió que els models similars. S'adapta a canonades complexes, lliurament a llarga-distància i pressió fluctuant de canonades en tallers de semiconductors, i funciona de manera estable sense fuites ni deformacions.
Aplicacions típiques
● Transport de llarga-distància d'àcid fluorhídric d'alta-concentració per al gravat d'hòsties
El material de PTFE engrossit modelat per compressió-de l'HD100R resisteix la-permeació a llarg termini de l'àcid fluorhídric, evitant la delaminació i la protuberància de la closca durant el transport a llarg-alta-pressió de distància.
● Subministrament de líquid centralitzat per a línies de producció de processos humits de semiconductors paral·lels
Equipada amb un mòdul hidràulic d'alt flux{0}}dedicat, aquesta bomba magnètica industrial de semiconductors té una atenuació extremadament baixa de la capçalera i el cabal d'entrega. Pot subministrar líquid de manera estable per a més de 3 línies de producció de neteja i gravat de forma independent, substituint el desplegament paral·lel de diverses bombes magnètiques de flux petit-.
● Transport alternatiu de substàncies químiques àcid-bàsiques diversificades per a semiconductors
Amb una cavitat lliure d'-espai mort-suau i expandit i una paret interior-de brillantor, no deixa residus químics després de la neteja en línia, evitant completament la-contaminació creuada durant el lliurament alternatiu de solucions de gravat i decapants, i adaptant-se a les condicions de treball freqüents de canvi químic.
Dimensió (mm)
Model | W | H | L | a | b | c | h | e | f | g | i |
HD100R | 156 | 174 | 335 | 70 | 100 | 110 | 74 | 65.5 | 44 | 147 | 4-9*27 |
Preguntes freqüents
P: Durant el transport de líquids químics de llarga distància-, l'impacte de les canonades provocarà fuites i deformacions de la bomba a causa d'una resistència insuficient a la pressió?
R: No es produirà cap fallada de pressió amb la disposició estàndard de la canonada. Les pèrdues de pressió existeixen inevitablement a les canonades de líquids de gravat de semiconductors de llarga distància-, i és probable que es produeixi un impacte invers de remans durant l'aturada de l'equip i la regulació de la pressió de la branca. Com a bomba magnètica industrial de semiconductors, HD100R adopta un reforç de pressió dirigit per a condicions de treball de remanus de llarga-distància. Els revestiments reforçats amb fibra de carboni estan incrustats a les juntes de les brides de la carcassa de la bomba i les cobertes de la bomba, amb una resistència a la pressió nominal de fins a 1,6 MPa. Pot compensar la pressió de pols de remans de la canonada dinàmica. Mentrestant, la carcassa de PTFE modelada integralment no té buits d'empalmament, evitant l'esquerdament de la carcassa i les fuites de líquids, i admet el transport de productes químics de semiconductors més de 100 metres.
P: El mode de lliurament d'-alt flux de l'HD100R reduirà l'eficiència hidràulica?
R: No es produeix cap atenuació de l'eficiència hidràulica dins de l'interval{0}}de cabal nominal. Equipat amb una voluta de-secció ampla personalitzada i un impulsor de vòrtex baix-inclinat cap endavant-, HD100R optimitza la coincidència de la curvatura del camí del flux. La seva eficiència hidràulica es manté estable per sobre del 78 % en totes les condicions de treball-de gran flux nominal sense disminuir l'eficiència amb l'augment del cabal, i garanteix una pressió de branca uniforme per al subministrament de líquid multi-paral·lel.
P: On comprar l'HD100Rbomba magnètica semiconductora?
R: Podeu contactar amb el nostre equip de vendes per correu electrònicjuicy@sxhono.com.cnper obtenir especificacions de producte, pressupostos i recomanacions de selecció. Si teniu requisits d'aplicació especials, també us podem oferir solucions de transferència de fluids personalitzades.
Etiquetes populars: bomba magnètica de semiconductors, fabricants de bombes magnètiques de semiconductors de la Xina, proveïdors, fàbrica
